三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠:HBM存储芯片容量提至24GB

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时间:2019-10-07
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10月7日,三星电子宣布率先在业内开发出12层3D-TSV(硅穿孔)技术。随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。vw9免费资源网

0-kv-pcd-hbm-aquabolt-pc-1280x720.jpgSamsung-12-layer-3D-TSV_main2.jpgSamsung-12-layer-3D-TSV_main1.jpgvw9免费资源网

总的封装厚度为720μm,与当前8层堆叠的HBM2存储芯片相同,体现了极大的技术进步。vw9免费资源网

这意味着,客户不需要改动内部设计就可以获得更大容量的芯片。同时,3D堆叠也有助于缩短数据传输的时间。vw9免费资源网

三星透露,基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产,单片容量从目前的8GB来到24GB。vw9免费资源网

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